- 能通過調(diào)制解調(diào)器利用線路進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸
- 可編輯讀出的平均劑量率
- 外殼設(shè)有數(shù)據(jù)傳輸和外部探頭接口
RDS-200利用現(xiàn)場(chǎng)已證實(shí)的測(cè)量電子學(xué)和TIM測(cè)量原理。
RDS-200是性能、用途廣泛的輻射測(cè)量?jī)x。特別適用于低劑量水平下的精確測(cè)量。
·輻射探測(cè)
γ和χ射線:50kev-3Mev。使用外接探頭進(jìn)行β測(cè)量
·探測(cè)器
兩個(gè)能量補(bǔ)償GM管。能量響應(yīng)依照周圍劑量當(dāng)量
·劑量率測(cè)量范圍:0.01μSv/h-10Sv/h或者1μrem/h-1000rem/h
·劑量測(cè)量范圍:0.01μSv-10Sv或1μrem-1000rem
·分辨率
3位有效數(shù)或者對(duì)于劑量率0.01μSv/h和對(duì)于劑量0.01μSv
還可選擇3位有效數(shù)或者對(duì)于劑量率1μrem/h和對(duì)于劑量1μrem
·校準(zhǔn)精度
±5%,137Cs沿著校準(zhǔn)方向和校準(zhǔn)區(qū)域,溫度±20℃
·線性劑量率
±15%±zui小有效數(shù),在0.05μSv/h-10Sv/h或5μrem/h-1000rem/h
·輻射角度的響應(yīng)
±25%,在校準(zhǔn)方向的±45度范圍內(nèi),實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?5kev
在0.05μSv/h-10mSv/h或5μrem/h-1rem/h
±35%,在校準(zhǔn)方向的±45度范圍內(nèi),實(shí)驗(yàn)?zāi)芰?3kev
在10mSv/h-10Sv/h或1rem/h-1000rem/h范圍內(nèi)
·能量范圍
50kev-3Mev,在0.05μSv/h-10mSv/h或5μrem/h-1rem/h范圍內(nèi)
80kev-3Mev,在10μSv/h-10Sv/h或1rem/h-1000rem/h范圍內(nèi)
在50~80kev的能量等級(jí)時(shí),如果超出10mSv/h或1rem/h測(cè)量范圍的極限值將給出溢出信息





































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