紫外接觸式光刻機(jī)-半導(dǎo)體工藝

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EVG610支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其*的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

EVG光刻機(jī)應(yīng)用

       MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用

特點(diǎn)：

     晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

      頂部和底部對準(zhǔn)功能

      高精度對準(zhǔn)

      自動楔形補(bǔ)償序列

      電動的和程序控制的曝光間隙

      支持UV-LED技術(shù)

      系統(tǒng)占地面積小

      分步流程指引

      遠(yuǎn)程技術(shù)支持

      多用戶概念（***數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同語言）

     敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

      臺式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺面

      附加功能：

         鍵合對準(zhǔn)

         紅外對準(zhǔn)

         納米壓印光刻（NIL）

關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)：

       頂部對準(zhǔn)精度：≤ ± 0,5 微米

       底部對準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 微米

       紅外對準(zhǔn)模式：≤ ± 2,0 微米/取決于基片的材料

        接觸：硬、軟接觸，真空

       曝光間隙：1 - 1000 微米

       線寬精度：1微米