. 電壓源（輸出）

• 輸出量程：±200 mV、±2 V、±20 V、±200 V

• 輸出：±210 V

• 編程分辨率：5 μV

• 輸出功率：單通道連續(xù)2.2 W

• 源精度：±(0.02% 讀數(shù) + 200 μV)

• 建立時(shí)間：滿量程＜100 ms

2. 電壓測量

• 測量范圍：1 μV ~ ±211 V

• 分辨率：1 μV（200mV 檔）

• 輸入阻抗：＞101? Ω（所有電壓量程）

• 測量精度：±(0.012% 讀數(shù) + 100 μV)

• 四線 Sense 同步采樣，消除引線壓降誤差

3. 電流源（輸出）

• 輸出量程：±1 pA ~ ±100 mA 多檔分段

• 輸出電流：±100 mA

• 最小編程電流：0.5 fA

• 四象限雙向源 / 阱，可吸收器件反向電流

4. 電流測量（核心強(qiáng)項(xiàng)，分檔精度）

• 最小可測電流：10 aA（10?1? A）

• 建立時(shí)間：

• 1pA/10pA 檔：＜2 s

• 100pA~10nA：＜50 ms

• 100nA 及以上：＜5 ms

5. 電阻測量

• 測量區(qū)間：1 μΩ ~ ＞20 TΩ（2×1013 Ω）

• 四線開爾文模式，消除測試線電阻

• 高阻檔自動(dòng)加壓測流，適配絕緣、薄膜、介質(zhì)材料

6. 采集速度與緩存

• 讀數(shù)速率：2000 讀數(shù) / 秒（存入儀器內(nèi)存）

• GPIB 總線輸出： 75 組源測數(shù)據(jù) / 秒

• 內(nèi)置緩存：可存儲數(shù)千組 I-V 采樣點(diǎn)，離線繪圖分析

7. 通訊與 IO 接口

• 標(biāo)配：IEEE488 GPIB、數(shù)字觸發(fā) IO（可編程輸入輸出，產(chǎn)線自動(dòng)分選）

• 三軸低噪聲輸入接口（主機(jī) + 遠(yuǎn)程前置放大器）

• 兼容 SCPI 指令，支持 LabVIEW、Python、C/C++ 自動(dòng)化

8. 硬件、環(huán)境、機(jī)械規(guī)格

1. 遠(yuǎn)程前置放大器

   尺寸：20×57×97 mm，連接線最長 2 m，三軸屏蔽防漏流

2. 主機(jī)整機(jī)

   外形（不含手柄）：89 mm (H) × 213 mm (W) × 370 mm (D)

   帶手柄支腳：104×238×370 mm

   整機(jī)重量：5.9 kg

3. 供電：100~240 VAC 50/60 Hz， 100 VA

4. 預(yù)熱：1 小時(shí)達(dá)到標(biāo)稱精度

5. 工作溫度：0 ℃ ~ 40 ℃；存儲 - 20~70 ℃

6. 安全 / EMC：符合 EN61010、FCC Class B

9. 保護(hù)機(jī)制

三、典型應(yīng)用場景

1. 半導(dǎo)體微電子測試

   MOSFET 柵極漏電流、High-K 介質(zhì)薄膜漏電、二極管反向飽和電流、單電子晶體管 SET、量子點(diǎn)微弱隧穿電流、模擬開關(guān)關(guān)態(tài)漏流。

2. 光電器件暗電流測試

   光電探測器、CCD、太陽能電池暗電流（nA/fA 級）、LED 反向偏置漏電。

3. 高阻材料 / 絕緣表征

   高分子聚合物、納米線 / 碳納米管、二維材料、陶瓷絕緣膜、PCB 絕緣電阻、電容器自放電漏流，測量 TΩ 級超高阻抗。

4. 電化學(xué)與生物科研

   微電極微弱氧化還原電流、細(xì)胞膜微電流、微量電荷檢測。

5. 器件可靠性老化

   長期監(jiān)測微小漏電漂移、介質(zhì)擊穿前預(yù)漏電檢測。

四、與 2602B 簡單對比（選型區(qū)分）

1. 6430：單通道、亞飛安小電流、200V 高壓、2.2W、帶分離前置放大器，側(cè)重科研微弱漏流、超高阻；

2. 2602B：雙通道、 40V、每路 40W/10A 脈沖，側(cè)重功率器件、MOS、LED 量產(chǎn) IV 曲線，大電流脈沖測試。