飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

• 新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器，更好的質(zhì)量分辨率

• 適用于絕緣材料的無(wú)人值守自動(dòng)化多樣品分析
  

• 離子束技術(shù)

• 平行成像 MS/MS 功能，助力有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)分析

• 多功能選配附件

TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品

寬帶通能量+寬立體接收角度

寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析

實(shí)現(xiàn)高精度分析的一次離子槍

離子束技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析 ：在高質(zhì)量分辨模式下，其空間分辨率優(yōu)于500 nm ；在高

空間分辨模式下，其空間分辨模式優(yōu)于50 nm。通過(guò)結(jié)合高強(qiáng)度離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器，可以實(shí)現(xiàn)低

噪聲、高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測(cè)量 ；在這兩種模式下，只需幾分鐘的測(cè)試時(shí)間，均可完成采譜分析。

TOF-SIMS自動(dòng)化多樣品分析-適用于絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開(kāi)發(fā)的自動(dòng)化多樣品分析功能，程序可根據(jù)樣品導(dǎo)電性自動(dòng)調(diào)整分析時(shí)所需的高度與樣品臺(tái)偏壓，可以對(duì)包括絕緣材料在內(nèi)的各類(lèi)樣品進(jìn)行無(wú)人值守自動(dòng)化TOF-SIMS分析。

整個(gè)分析過(guò)程非常簡(jiǎn)單，只需三步即可對(duì)多個(gè)樣品進(jìn)行表面或深度分析 ：①在進(jìn)樣室拍攝樣品臺(tái)照片 ；②在進(jìn)樣室拍攝的照片上指定分析點(diǎn) ；③按下分析鍵，設(shè)備自動(dòng)開(kāi)始分析。過(guò)去，必須有熟練的操作人員專(zhuān)門(mén)操作儀器才能進(jìn)行TOF-SIMS分析 ；現(xiàn)在，無(wú)論操作人員是否熟練，都可以獲得高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)。

標(biāo)配自動(dòng)化傳樣系統(tǒng)

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現(xiàn)優(yōu)異的全自動(dòng)樣品傳送系統(tǒng)：樣品尺寸可達(dá)100mmx100 mm，而且分析室標(biāo)配內(nèi)置樣品托停放裝置 ；結(jié)合分析序列編輯器（Queue Editor），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)大量樣品的全自動(dòng)連續(xù)測(cè)試。

采用新開(kāi)發(fā)的脈沖氳離子槍獲得

Patent自動(dòng)荷電雙束中和技術(shù)

TOF-SIMS測(cè)試的大部分樣品為絕緣樣品，而絕緣樣品表面通常有荷電效應(yīng)。PHI nanoTOF3+采用自動(dòng)荷電雙束中和技術(shù)，通過(guò)同時(shí)發(fā)射低能量電子束和低能量氳離子束，可實(shí)現(xiàn)對(duì)任何類(lèi)型和各種形貌的絕緣材料的真正自動(dòng)荷電中和，無(wú)需額外的人為操作。

·需要選配Ar離子槍

遠(yuǎn)程訪問(wèn)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制儀器

PHI nanoTOF3+允許通過(guò)局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問(wèn)儀器。只需將樣品臺(tái)放入進(jìn)樣室，就可以對(duì)進(jìn)樣、換樣、測(cè)試和分析等所有操作進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。我們的專(zhuān)業(yè)人員可以對(duì)儀器進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷*如需遠(yuǎn)程診斷，請(qǐng)聯(lián)系我們的客戶(hù)服務(wù)人員。

從截面加工到截面分析：只需一個(gè)離子源即可完成

標(biāo)配離子槍FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中，液態(tài)金屬離子備FIB功能，可以使用單個(gè)離子槍對(duì)樣品進(jìn)行橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過(guò)操作計(jì)算機(jī)，可以快速輕松地完成從FIB處理到TOF-SIMS分析的全過(guò)程。此外，可在冷卻條件下進(jìn)行FIB加工。在選配Ga源進(jìn)行FIB加工時(shí)，可以獲得FIB加工區(qū)域的3D影像 ；Ga源還可以作為第二分析源進(jìn)行TOF-SIMS分析。

通過(guò)平行成像MS/MS進(jìn)行分子結(jié)構(gòu)分析[選配]

MS/MS平行成像同時(shí)采集MS1/MS2數(shù)據(jù)

在TOF-SIMS測(cè)試中，MS1質(zhì)量分析分析器接收從樣品表面產(chǎn)生的所有二次離子碎片，對(duì)于質(zhì)量數(shù)接近的大分子離子，MS1譜圖難以區(qū)分。通過(guò)安裝串聯(lián)質(zhì)譜MS2，對(duì)于特定離子進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離生產(chǎn)特征離子碎片，MS2譜圖可以實(shí)現(xiàn)對(duì)分子結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步鑒定。PHI nanoTOF3 +具備串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS平行成像功能，可以同時(shí)獲取分析區(qū)域的MS1和MS2數(shù)據(jù)，為有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)解析提供了強(qiáng)有力的工具。

多樣化配置充分發(fā)揮TOF-SIMS潛力

可拆卸手套箱：可安裝在樣品導(dǎo)入室

可以選配直接連接到樣品進(jìn)樣室的可拆卸手套箱。鋰離子電池和有機(jī)OLED等容易與大氣發(fā)生反應(yīng)的樣品可以直接安裝在樣品臺(tái)上。此外，在冷卻分析后更換樣品時(shí)，可以防止樣品表面結(jié)霜。

氬團(tuán)簇離子源（Ar-GCIB）：有機(jī)材料深度剖析

使用氬團(tuán)簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過(guò)程中對(duì)有機(jī)材料的破壞，從而在刻蝕過(guò)程中保留有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)信息。

Cs源和Ar/O2源：無(wú)機(jī)材料深度剖析

可根據(jù)測(cè)試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額，使用Cs源可增強(qiáng)負(fù)離子產(chǎn)額 ；O2源可增強(qiáng)正離子產(chǎn)額