您是否在半導(dǎo)體芯片制造、外延生長(zhǎng)、封裝減薄等核心工藝中，面臨著“精度不足誤判工藝、接觸測(cè)量損工件、多層膜量測(cè)失真”等導(dǎo)致的高價(jià)值芯片報(bào)廢、良率下滑難題？WD4000晶圓薄膜厚度設(shè)備無損測(cè)量芯片，以“無損”核心優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)芯片晶圓薄膜厚度，為半導(dǎo)體企業(yè)提供“精準(zhǔn)、安全、高效”的全流程解決方案。

一、無損測(cè)量的硬核技術(shù)

1. 非接觸光學(xué)測(cè)量架構(gòu)：集成光譜共焦對(duì)射技術(shù)、白光干涉光譜分析技術(shù)，搭配紅外傳感器，全程無硬質(zhì)接觸、無探針損傷；

2. 亞納米級(jí)量測(cè)算法：搭載數(shù)值七點(diǎn)相移算法，Z向分辨率達(dá)0.1nm，精準(zhǔn)捕捉納米級(jí)薄膜厚度變化；

3. 多層/多材質(zhì)適配設(shè)計(jì)：紅外傳感器通過干涉原理計(jì)算多層膜間距，兼容碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等材質(zhì)，適配鍵合晶圓、外延片等多層結(jié)構(gòu)；

4. 一體化集成模塊：同步覆蓋薄膜厚度、TTV（總體厚度變化）、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多參數(shù)測(cè)量，支持自動(dòng)上下料與CCD Mark定位巡航。

二、無損技術(shù)帶來的四大核心突破

1. 無損測(cè)量，杜絕工件損傷：相較于傳統(tǒng)接觸式探針測(cè)量，光學(xué)非接觸設(shè)計(jì)避免劃傷精密晶圓表面、破壞脆弱薄膜層，從源頭減少高價(jià)值芯片報(bào)廢；

2. 精度拉滿，數(shù)據(jù)零偏差：亞納米級(jí)分辨率+七點(diǎn)相移算法，可精準(zhǔn)識(shí)別最小納米級(jí)薄膜厚度波動(dòng)，避免因量測(cè)誤差導(dǎo)致的工藝誤判；

3. 全場(chǎng)景適配，無測(cè)量盲區(qū)：紅外傳感器+光譜共焦雙技術(shù)協(xié)同，輕松破解多層膜、低反射率、粗糙表面晶圓的量測(cè)難題，覆蓋半導(dǎo)體前中后道全工藝；

4. 高效集成，降本提效：WD4000晶圓薄膜厚度設(shè)備無損測(cè)量芯片多參數(shù)一體測(cè)量無需設(shè)備切換，自動(dòng)上下料+500mm/s高速移動(dòng)，大幅縮短檢測(cè)周期，適配批量生產(chǎn)場(chǎng)景。

三、直擊您的核心訴求，解決您的實(shí)際生產(chǎn)難題

四、無損量測(cè)的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

（注：本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，如需獲取新產(chǎn)品技術(shù)信息可咨詢客服獲取。）

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