在先進(jìn)半導(dǎo)體與LED器件的研發(fā)及量產(chǎn)環(huán)節(jié)，刻蝕形貌、薄膜臺(tái)階的三維測(cè)量是質(zhì)量管控的核心依據(jù)。中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀 半導(dǎo)體&LED刻蝕全流程測(cè)量方案，深度適配LED刻蝕表面三維測(cè)量、超薄介質(zhì)膜檢測(cè)、微孔陣列批量統(tǒng)計(jì)等核心場(chǎng)景，從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)驗(yàn)證到車間產(chǎn)線抽檢，均能穩(wěn)定輸出高置信度數(shù)據(jù)。

針對(duì)樣件表面高反光介質(zhì)層與低反光刻蝕底材共存的復(fù)雜情況，設(shè)備搭載EPSI復(fù)合掃描算法，單次掃描即可同步完成高低反射率區(qū)域成像，無需人工反復(fù)調(diào)節(jié)光源參數(shù)；內(nèi)置千赫茲級(jí)環(huán)境噪聲監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，配合閉環(huán)伺服補(bǔ)償算法，可有效屏蔽車間機(jī)械振動(dòng)、溫濕度波動(dòng)帶來的納米級(jí)臺(tái)階高度環(huán)境漂移，無需依賴昂貴的外部氣浮減振臺(tái)，在真實(shí)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)即可維持實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度。

無論是0.07μm超薄臺(tái)階的精細(xì)表征，還是122μm大孔徑陣列的批量檢測(cè)，該設(shè)備都能提供穩(wěn)定的三維形貌數(shù)據(jù)支撐，助力企業(yè)加速工藝參數(shù)迭代，縮減研發(fā)與檢測(cè)工時(shí)。

對(duì)于需要納米級(jí)三維形貌測(cè)量的半導(dǎo)體、光電企業(yè)，進(jìn)口設(shè)備往往價(jià)格高昂，且配套服務(wù)成本高。中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀 半導(dǎo)體&LED刻蝕全流程測(cè)量方案，核心性能對(duì)標(biāo)行業(yè)水準(zhǔn)，同時(shí)具備更突出的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，是企業(yè)提質(zhì)降本的優(yōu)選方案。

設(shè)備搭載自主研發(fā)的EPSI復(fù)合掃描算法，跨反射率成像能力達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，可穩(wěn)定完成LED刻蝕表面三維測(cè)量、超薄臺(tái)階高度檢測(cè)等高精度任務(wù)；內(nèi)置環(huán)境傳感與閉環(huán)補(bǔ)償系統(tǒng)，抗振動(dòng)、抗溫漂能力可靠，無需額外投入大額資金搭建超凈隔振環(huán)境。

以更親民的采購(gòu)成本，實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室級(jí)的測(cè)量精度與工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的適配能力，同時(shí)本土廠商供貨周期短、配件成本低，能幫助企業(yè)在保障檢測(cè)能力的前提下，有效壓縮設(shè)備采購(gòu)與運(yùn)維預(yù)算。

注：產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級(jí)實(shí)時(shí)更新，具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，詳情可咨詢客服獲取完整資料。