離子束刻蝕IBE/IBM:使用惰性氣體準(zhǔn)直離子束進行表面結(jié)構(gòu)或材料去除
反應(yīng)離子束蝕刻RIBE:將反應(yīng)氣體引入離子束源,用于表面反應(yīng)蝕刻
化學(xué)輔助離子束蝕刻CAIBE:使用獨立于離子束的反應(yīng)氣體對表面進行化學(xué)反應(yīng)以輔助蝕刻
- 可進行離子束刻蝕(IBE、IBM)、反應(yīng)離子束刻蝕(RIBE)和化學(xué)輔助離子束刻蝕(CAIBE)
- 刻蝕角度調(diào)整:樣品臺可以旋轉(zhuǎn)且傾斜可調(diào)
- 即使不使用修正擋板,也可獲得的均勻性
- 可使用反應(yīng)氣體以提高刻蝕速率,并控制刻蝕選擇比
- 通過基于SIMS(二次離子質(zhì)譜)或光學(xué)的截止點探測技術(shù)控制工藝
- 可以刻蝕光刻膠晶圓,具有良好的樣品冷卻配置
- 在不同的組合式布局中可以進行全自動載具操作,包括SECS/GEM通訊。
- 重點應(yīng)用:
表面浮雕光柵SRG的制造,用于AR、MR的器件
隧道磁阻(TMR)傳感器用磁性多層膜
紅外傳感器用超薄鉭酸鋰的制備
集成電路芯片器件的逆向工程
scia mill 300 | |
樣品尺寸 | Ф300mm |
| 樣品夾具 | 水冷,氦背板冷卻 轉(zhuǎn)速:1 - 20 rpm 傾斜:0° - 175° 步長:0.1° |
離子源 | 450mm圓形射頻源RF450-e |
中和器 | 射頻等離子體橋中和器N-RF |
| 參考刻蝕速率 | Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20 nm/min(惰性) SiO2: 40-60 nm/min (反應(yīng) |
刻蝕均勻性 | ≦ 2.5% (σ/mean) |
產(chǎn)能 | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 去除) |
基礎(chǔ)真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸(不含電柜與真空泵) | 2.7 m x 1.5 m x 2.0 m (1個工作倉 + 單晶圓載具LoadLock) |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
- 單片 Load-Lock(可選);組合式布局可至3個工作倉和晶圓載具
- 光學(xué)截止點探測器OES 或二次離子質(zhì)譜截止點探測器SIMS


























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