用于半導(dǎo)體可靠性測(cè)試的試驗(yàn)機(jī)

SIC（碳化硅）大功率裝置2000V高壓對(duì)應(yīng)
電壓　~2000V
電流　~75mA/單元
搭載μA/ｍA兩個(gè)量程的限流電流切換


可進(jìn)行大功率裝置SIC/高電壓FET/IGBT等加載高電壓試驗(yàn)、ＢＴ（偏壓熱應(yīng)力）試驗(yàn)。
用于汽車(chē)、高鐵等相關(guān)高壓裝置的評(píng)價(jià)。
電壓可加載2000V，同時(shí)可測(cè)定16ＣＨ。
★試驗(yàn)、測(cè)試動(dòng)作
試驗(yàn)中可選擇柵極BT試驗(yàn)和漏極BT試驗(yàn)。
漏極BT系列的測(cè)試基于以下流程，按照參數(shù)設(shè)定的條件進(jìn)行動(dòng)作。
① 初期測(cè)試（Vg掃描試驗(yàn)）
② 加載偏壓（柵極BT試驗(yàn) 或 漏極BT試驗(yàn)）
③ 中間測(cè)試（Vg1點(diǎn)試驗(yàn)）
④ 結(jié)束測(cè)試（Vg掃描試驗(yàn)）




測(cè)試CH數(shù)
16CH/單元(最多4個(gè)單元/64CH)

電源規(guī)格
向樣品施加電壓，請(qǐng)使用以下電源。每個(gè)單元用1個(gè)電源。
　電壓－電流
?、贃艠O加載用±30V 30mA(單元內(nèi)電源)
?、诼O加載用高電壓2kV 30mA(外部電源：松定精密HJPR-2P30-LGob)
　③漏極加載用低電壓+30V 30mA(單元內(nèi)電源)
測(cè)試方法
在各樣品的GND側(cè)，插入萬(wàn)用表，用電流表測(cè)量。
數(shù)字萬(wàn)用表:凱利公司制造3706A＋多路復(fù)用器卡3720
?、贃艠OBT　１ｎA(yù)～10μA
?、诼OBT試驗(yàn)　1μA～30mA
　③Id測(cè)試　1μA～30mA
　④Vg監(jiān)控　-30V～+30V