HJ4N25為全密封單通道光電耦合器電路。它由一個(gè)CaAsP發(fā)光二極管和一個(gè)光學(xué)上耦合的NPN光敏管構(gòu)成,具有輸入與TTL電路兼容、輸出管耐壓大于35V、輸入輸出間絕緣電阻大于1010Ω、隔離電壓≥1000V,以及較高的電流傳輸比等特點(diǎn)。采用雙列直插6線陶瓷管殼封裝,工作溫度范圍為-55~ +125℃。
電特性
除非另有說明,-55℃≤TA≤+125℃。
| 參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 測試條件 | 規(guī)范值 | 單位 | |||
| 最小值 | 典型值 | 值 | |||||
| 輸入正向?qū)妷?/span> | VF | IF=10mA |
| 1.3 | 1.9 | V | |
| 輸入反向電流 | IR | VR=5V |
| 1 | 10 | μA | |
| 輸出漏電流 | ICEO | VCE=30V |
| 1 | 50 | μA | |
| 輸出飽和壓降 | VCES | IF=10mA, IO=5mA |
| 0.2 | 0.5 | V | |
| 電流傳輸比* | CTR | IF=10mA, VCE=0.4V | 50 |
| 500 | % | |
| 導(dǎo)通傳輸延遲時(shí)間** | ton | IF=25mA, VOC=5V TA=+25℃,RL=100Ω | VCE=0.8V |
|
| 4 | μs |
| 截止傳輸延遲時(shí)間** | toff | VCE=3.5V |
|
| 4 | ||
| 輸出擊穿電壓 | BVCEO | IC=0.1mA | 35 |
|
| V | |
*該參數(shù)可根據(jù)用戶要求控制在較小的偏差范圍。
** ton /toff包含了一般意義上的tPLH/tPHL以及tr/tf時(shí)間,并考慮了負(fù)載TTL/CMOS電路輸入特性要求,較為簡明實(shí)用。
























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